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3M080120K(TO-247-4L(K))

特征 ● VDS 1200V ● ID 32A ● RDS（ON）（VGS=10V）80mΩ ● 第三代SiC MOSFET技術(shù) ● 優(yōu)化的封裝，帶有單獨(dú)的驅(qū)動(dòng)源引腳 ● 漏極和源極之間的爬電距離為8mm ● 高阻斷電壓，低導(dǎo)通電阻 ● 低電容高速開關(guān) ● 低反向恢復(fù)（Qrr）的快速本征二極管 應(yīng)用 ● 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 ● 電動(dòng)汽車充電站 ● 高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器

所屬分類：

產(chǎn)品中心

碳化硅

TO-247-4L(K)

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